中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助

  只显示已认领条目
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
CdX(X=S, Se, Te)半导体体材料及纳米线应变效应的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  相琳琳
Adobe PDF(2279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1427/20  |  提交时间：2017/06/01
第一性原理计算  电子结构性质  单轴应变  Ii-vi族半导体材料  纳米线