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Si(100)衬底外延氮化物及其3D发光器件 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  王克超
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硅  氮化镓  外延  单芯片  白光led  湿法腐蚀  多量子阱  Mocvd  纳米线阵列  半极性面  
硅衬底及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  袁国栋;  王克超;  李晋闽;  吴瑞伟;  黄芳;  王乐
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基于晶硅光伏技术的硅基GaN发光器件及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  袁国栋;  王克超;  李晋闽
Adobe PDF(416Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：695/2  |  提交时间：2016/09/28
一种GaN发光器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  袁国栋;  王克超;  李晋闽;  吴瑞伟;  黄芳;  王乐
Adobe PDF(484Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：679/1  |  提交时间：2016/09/22
有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  袁国栋;  王乐;  段瑞飞;  李晋闽;  王军喜;  黄芳;  吴瑞伟;  王克超
Adobe PDF(265Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：842/5  |  提交时间：2016/09/12