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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 何国荣; 沈文娟; 王青 ; 郑婉华; 陈良惠
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| 利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 沈文娟; 曾一平; 王启元; 王俊
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| 利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 沈文娟; 曾一平; 王俊
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| 在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 沈文娟; 曾一平; 王启元; 王俊
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| MOCVD ZnO 外延材料制备及性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者: 沈文娟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: SHEN Wenjuan; Wang Jun; Wang Qiyuan; Duan Yao; Zeng Yiping
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Shen Wenjuan; Wang Jun; Duan Yao; Wang Qiyuan; Zeng Yiping
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