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在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  崔军朋;  段垚;  王晓峰;  曾一平
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在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  崔军朋;  段垚;  王晓峰;  曾一平
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氧化物的化学气相沉积制备装置及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  段垚;  王晓峰;  崔军朋;  曾一平
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ZnO厚膜的金属源气相外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  段垚
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高纯氧化锌的化学气相沉积装置及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓峰;  段垚;  崔军朋;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  崔军朋;  段垚;  王晓峰;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  何金孝;  段垚;  王晓峰;  崔军朋;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  SHEN Wenjuan;  Wang Jun;  Wang Qiyuan;  Duan Yao;  Zeng Yiping
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shen Wenjuan;  Wang Jun;  Duan Yao;  Wang Qiyuan;  Zeng Yiping
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采用金属源化学气相沉积技术制备极性可控氧化锌的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102181921A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  王晓峰;  段垚;  崔军朋;  曾一平
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