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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨金宝,曹忆南,范松涛,周燕
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XG;  Yang T;  Wang KF;  Ji HM;  Ni HQ;  Niu ZC;  Wang ZG;  Yang, XG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  于晓刚;  苗长云;  李鸿强;  陈弘达;  习江涛;  杨海静;  张诚
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨光;  张祥;  李淑秋;  张文涛;  张发祥;  李芳
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XG;  Yang T;  Wang KF;  Gu YX;  Ji HM;  Xu PF;  Ni HQ;  Niu ZC;  Wang XD;  Chen YL;  Wang ZG;  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu PF;  Yang T;  Ji HM;  Cao YL;  Gu YX;  Wang ZG;  Xu, PF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. tyang@semi.ac.cn
Adobe PDF(614Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1353/408  |  提交时间:2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gu YX;  Yang T;  Ji HM;  Xu PF;  Wang ZG;  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄建亮;  卫炀;  马文全;  杨涛;  陈良惠
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高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 4007
发明人:  杨 涛;  季海铭 
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Large-Signal Performance of 1.3 mu m InAs/GaAs quantum-dot lasers 会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者:  Ji;  HM;  Cao;  YL;  Xu PF;  Gu YX;  Ma WQ;  Liu Y;  Wang X;  Xie L;  Yang T;  Ji, HM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
Adobe PDF(274Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1902/471  |  提交时间:2010/06/04