×
验证码:
换一张
忘记密码？
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
半导体超晶格国家重点... [1]
作者
文献类型
学位论文 [1]
发表日期
2021 [1]
语种
中文 [1]
出处
资助项目
收录类别
资助机构
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共1条，第1-1条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页：
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式：
请选择
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
作者升序
作者降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
提交时间升序
提交时间降序
硅的反常空穴迁移率起源及高空穴迁移率的设计原理
学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
杨巧林
Adobe PDF(2585Kb)
|
收藏
|
浏览/下载：564/1
|
提交时间：2021/06/16
