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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
吴洁君
;
韩修训
;
李杰民
;
黎大兵
;
陆沅
;
王晓晖
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提交时间:2009/06/11
量子阱子带间跃迁及相关物理特性研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:
李杰民
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提交时间:2009/04/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wu JJ (Wu Jiejun)
;
Han XX (Han Xiuxun)
;
Li JM (Li Jiemin)
;
Wei HY (Wei Hongyuan)
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Cong GW (Cong Guangwei)
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Guo LP (Guo Liping)
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;
Wu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jiejunw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
吴洁君
;
黎大兵
;
陆沅
;
韩修训
;
李杰民
;
王晓辉
;
刘祥林
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
吴洁君
;
韩修训
;
李杰民
;
黎大兵
;
魏宏远
;
康亭亭
;
王晓晖
;
刘祥林
;
王占国
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提交时间:2010/11/23