|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| GaN基紫外探测器的欧姆接触工艺和器件物理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 李晓静
 Adobe PDF(6373Kb) |  收藏 | 浏览/下载：893/88 | 提交时间：2016/06/02 |
| 稀磁半导体量子点自旋特性的理论研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者: 李晓静
Adobe PDF(9706Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1137/35 | 提交时间：2009/04/13 |
| 一种高阻GaN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
Adobe PDF(375Kb) | 收藏 | 浏览/下载：833/101 | 提交时间：2014/11/05 |
| 高电阻低位错GaN薄膜及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
Adobe PDF(330Kb) | 收藏 | 浏览/下载：821/88 | 提交时间：2014/11/24 |
| 减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-30
发明人: 乐伶聪; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 何晓光; 李晓静; 杨辉
Adobe PDF(563Kb) | 收藏 | 浏览/下载：981/93 | 提交时间：2014/12/25 |
| 含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-08
发明人: 杨静; 赵德刚; 李亮; 吴亮亮; 乐伶聪; 李晓静; 何晓光
Adobe PDF(418Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1018/105 | 提交时间：2014/11/24 |
| InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 杨静; 赵德刚; 乐伶聪; 李晓静; 何晓光
Adobe PDF(338Kb) | 收藏 | 浏览/下载：820/4 | 提交时间：2016/08/30 |
| 降低Ni/Au与p-GaN欧姆接触的比接触电阻率的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 李晓静; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 朱建军; 陈平
Adobe PDF(423Kb) | 收藏 | 浏览/下载：571/4 | 提交时间：2016/09/12 |
| 制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 李晓静; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 朱建军; 陈平
Adobe PDF(402Kb) | 收藏 | 浏览/下载：640/5 | 提交时间：2016/09/12 |
| AlxGa1-xN基紫外探测器及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 赵德刚; 李晓静; 江德生; 刘宗顺; 朱建军; 陈平
Adobe PDF(544Kb) | 收藏 | 浏览/下载：518/2 | 提交时间：2016/09/12 |
