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锑化物高电子迁移率晶体管的材料与器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  李彦波
Adobe PDF(2537Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1901/76  |  提交时间：2012/06/18
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, Yanbo;  Zhang, Yang;  Zhang, Yuwei;  Wang, Baoqiang;  Zhu, Zhanping;  Zeng, Yiping
Adobe PDF(882Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：741/225  |  提交时间：2013/05/07
无权访问的条目 期刊论文
作者:  李彦波;  刘超;  张杨;  曾一平
Adobe PDF(581Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2038/669  |  提交时间：2011/08/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵杰;  刘超;  李彦波;  曾一平
Adobe PDF(1467Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1506/231  |  提交时间：2011/08/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YB;  Zhang Y;  Zeng YP;  Zhang, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. terahertzantenna@163.com;  ypzeng@semi.ac.cn
Adobe PDF(1227Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1544/463  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao J (Zhao Jie);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Liu C (Liu Chao);  Cui LJ (Cui Lijie);  Li YB (Li Yanbo);  Zhao, J, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, QingHua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jiezhao@semi.ac.cn
Adobe PDF(1068Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1153/306  |  提交时间：2010/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YB (Li Yanbo);  Zhang Y (Zhang Yang);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Li, YB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: nkybli@163.com;  ypzeng@semi.ac.cn
Adobe PDF(856Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1172/430  |  提交时间：2010/10/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao J (Zhao Jie);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Liu C (Liu Chao);  Li YB (Li Yanbo);  Zhao, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiezhao_sub@163.com
Adobe PDF(526Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1130/418  |  提交时间：2010/06/04
无权访问的条目 期刊论文
作者:  李彦波;  刘超;  张杨;  赵杰;  曾一平
Adobe PDF(942Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2005/346  |  提交时间：2011/08/16
锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236705.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  李彦波;  张杨;  曾一平
Adobe PDF(898Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1585/254  |  提交时间：2011/08/31