中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩根全;  曾玉刚;  余金中
Adobe PDF(295Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1419/204  |  提交时间：2009/06/11
利用UHV/CVD低温生长SiGe材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩根全;  曾玉刚;  余金中
Adobe PDF(366Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1507/231  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  成步文;  薛春来;  罗丽萍;  韩根全;  曾玉刚;  薛海韵;  王启明
Adobe PDF(704Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1713/493  |  提交时间：2010/11/23
D-UHV/CVD 外延生长SiGe和ArF准分子激光退火制备量子点的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  曾玉刚
Adobe PDF(2604Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1033/25  |  提交时间：2009/04/13