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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, Changbo;  Yang, Shaoyan;  Shi, Kai;  Liu, Guipeng;  Zhang, Heng;  Jin, Dongdong;  Gu, Chengyan;  Zhao, Guijuan;  Sang, Ling;  Liu, Xianglin;  Zhu, Qinsheng;  Wang, Zhanguo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gu, Cheng-Yan;  Liu, Gui-Peng;  Shi, Kai;  Song, Ya-Feng;  Li, Cheng-Ming;  Liu, Xiang-Lin;  Yang, Shao-Yan;  Zhu, Qin-Sheng;  Wang, Zhan-Guo
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ZnO材料的MOCVD生长、掺杂及相关物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  时凯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gu CY (Gu Cheng-Yan);  Liu GP (Liu Gui-Peng);  Shi K (Shi Kai);  Song YF (Song Ya-Feng);  Li CM (Li Cheng-Ming);  Liu XL (Liu Xiang-Lin);  Yang SY (Yang Shao-Yan);  Zhu QS (Zhu Qin-Sheng);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
Adobe PDF(136Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:911/218  |  提交时间:2013/03/26
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei W (Wei, Wei);  Qin ZX (Qin, Zhixin);  Fan SF (Fan, Shunfei);  Li ZW (Li, Zhiwei);  Shi K (Shi, Kai);  Zhu QS (Zhu, Qinsheng);  Zhang GY (Zhang, Guoyi)
Adobe PDF(529Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:989/284  |  提交时间:2013/04/18
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu GP (Liu Guipeng);  Wu J (Wu Ju);  Lu YW (Lu Yanwu);  Zhang BA (Zhang Biao);  Li CM (Li Chengming);  Sang L (Sang Ling);  Song YF (Song Yafeng);  Shi K (Shi Kai);  Liu XL (Liu Xianglin);  Yang SY (Yang Shaoyan);  Zhu QS (Zhu Qinsheng);  Wang ZG (Wang Zhanguo)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi K;  Yang AL;  Wang J;  Song HP;  Xu XQ;  Sang L;  Wei HY;  Yang SY;  Liu XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Shi, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. shikai@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi K;  Liu XL;  Li DB;  Wang J;  Song HP;  Xu XQ;  Wei HY;  Jiao CM;  Yang SY;  Song H;  Zhu QS;  Wang ZG;  Shi, K, 35 Tsinghua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China. shikai@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn;  lidb@ciomp.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song YF (Song Yafeng);  Lu YW (Lu Yanwu);  Zhang BA (Zhang Biao);  Xu XQ (Xu Xiaoqing);  Wang J (Wang Jun);  Guo Y (Guo Yan);  Shi K (Shi Kai);  Li ZW (Li Zhiwei);  Liu XL (Liu Xianglin);  Yang SY (Yang Shaoyan);  Zhu QS (Zhu Qinsheng);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Song, YF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: songyafeng@semi.ac.cn
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利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  时凯;  刘祥林;  魏鸿源;  焦春美;  王俊;  李志伟;  宋亚峰;  杨少延;  朱勤生;  王占国
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