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低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  周媛
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, Yuan;   Zhao, Youwen;   Xie, Hui;   Shen, Guiying;   Liu, Jingming;   Yang, Jun
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, Yuan;   Zhao, Youwen;   Shen, Guiying;   Xie, Hui;   Liu, Jingming;   Yang, Jun;   Liu, Lijie
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