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与GaN晶格匹配的AlInN材料的MOCVD生长及其性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  卢国军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Majid A;  Ali A;  Zhu JJ;  Wang YT;  Liu W;  Lu GJ;  Liu WB;  Zhang LQ;  Liu ZS;  Zhao DG;  Zhang SM;  Jiang DS;  Yang H;  Ali, A, Quaid I Azam Univ, Dept Phys, Adv Mat Phys Lab, Islamabad, Pakistan. 电子邮箱地址: akbar@qau.edu.pk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Majid A;  Ali A;  Zhu JJ;  Liu W;  Lu GJ;  Zhang LQ;  Liu ZS;  Wang H;  Zhao DG;  Zhang SM;  Jiang DS;  Wang YT;  Yang H;  Israr M;  Majid, A, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: abdulmajid40@yahoo.com
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一种生长AlInN单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810225783.8, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  卢国军;  朱建军;  赵德刚;  刘宗顺;  张书明;  杨辉
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