|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王佐才; 吕雪芹 ; 金鹏; 王占国
 Adobe PDF(1468Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1979/852 | 提交时间：2011/08/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liang ZM; Jin C; Jin P; Wu J; Wang ZG; Liang ZM Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lzhm4321@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(342Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1105/317 | 提交时间：2010/03/08 |
| 提高自组织量子点光学性质温度稳定性的材料结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 金灿; 金鹏; 王占国
Adobe PDF(304Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1397/213 | 提交时间：2009/06/11 |
| 在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 金鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王智杰; 王占国
Adobe PDF(527Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1587/236 | 提交时间：2009/06/11 |
| 砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵超; 徐波; 陈涌海; 金鹏; 王占国
Adobe PDF(520Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1329/225 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 于理科; 徐波; 王占国; 金鹏; 赵昶; 张秀兰
Adobe PDF(627Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1374/167 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 于理科; 徐波; 王占国; 金鹏; 赵昶; 张秀兰
Adobe PDF(681Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1099/178 | 提交时间：2009/06/11 |
| 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王元立; 吴巨; 金鹏; 叶小玲; 张春玲; 黄秀颀; 陈涌海; 王占国
Adobe PDF(409Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1521/181 | 提交时间：2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhao C; Chen YH; Xu B; Jin P; Wang ZG; Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(278Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1110/379 | 提交时间：2010/03/29 |
| 在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈涌海; 张春玲; 崔草香; 徐波; 金鹏; 刘峰奇; 王占国
Adobe PDF(467Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1237/186 | 提交时间：2009/06/11 |
