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无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  崔利杰;  曾一平;  王保强;  朱战平
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用于大功率激光耦合的光纤头结构和光纤头冷却方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓薇;  马骁宇;  方高瞻;  喜崇浩;  王颖
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光纤耦合用多根输出光纤头 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓薇;  马骁宇;  方高瞻;  喜崇浩;  王颖
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提高半导体光电转换器件性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李建明;  种明;  杨丽卿;  徐嘉东;  胡传贤;  段晓峰;  高旻;  朱建成;  王凤莲
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制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  陈涌海;  朱勤生;  王占国
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半导体激光器同轴器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈振宇;  刘宇;  王欣
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一种制作白光发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈振;  韩培德;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  朱勤生;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang L;  Xin HL;  Fang C;  Wang, CX;  Li F;  Li ZM;  Liu YL;  Wang, QM;  Yang, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lyang@red.semi.ac.cn
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Long-wavelength SiGe/Si MQW resonant-cavity-enhanced photodiodes (RCE-PD) 会议论文
GETTERING AND DEFECT ENGINEERING IN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, 95-96, BERLIN, GERMANY, SEP 21-26, 2003
作者:  Yu JZ;  Li C;  Cheng BW;  Wang QM;  Yu JZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: jzyu@red.semi.ac.cn
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Dbr (Distributed Bragg Reflector)  Mqw (Multiple Quantum Wells)  Optical Fiber Communication  Photodiode  Rce-pd (Resonant-cavity-enhanced Photodiode)  Responsivity  Sige/si  Soi  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu JZ;  Li C;  Cheng BW;  Wang QM;  Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jzyu@red.semi.ac.cn
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