中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共59条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding K (Ding, K.);  Zeng YP (Zeng, Y. P.);  Wei XC (Wei, X. C.);  Li ZC (Li, Z. C.);  Wang JX (Wang, J. X.);  Lu HX (Lu, H. X.);  Cong PP (Cong, P. P.);  Yi XY (Yi, X. Y.);  Wang GH (Wang, G. H.);  Li JM (Li, J. M.);  Ding, K, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dingkai@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(520Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1401/502  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄振;  于斌;  赵国忠;  张存林;  崔利杰;  曾一平
Adobe PDF(573Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1365/414  |  提交时间：2010/11/23
紫外光直写制作掺铒杂化SiO2光波导放大器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王鵫;  吴远大;  李建光;  王红杰;  安俊明;  胡雄伟
Adobe PDF(489Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1483/256  |  提交时间：2009/06/11
一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  段瑞飞;  刘喆;  钟兴儒;  魏同波;  马平;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(616Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1361/234  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王柱;  柯君玉;  李辉;  庞锦标;  戴益群;  赵有文
Adobe PDF(299Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：762/233  |  提交时间：2010/11/23
在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  李晋闽;  王军喜;  王晓亮;  王启元;  刘宏新;  王俊;  曾一平
Adobe PDF(429Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1302/227  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li RY (Li R. Y.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Xu B (Xu B.);  Jin P (Jin P.);  Guo X (Guo X.);  Chen M (Chen M.);  Li, RY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ryli@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(532Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1095/363  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, WZ (Zhou, W. Z.);  Lin, T (Lin, T.);  Shang, LY (Shang, L. Y.);  Yu, G (Yu, G.);  Huang, ZM (Huang, Z. M.);  Guo, SL (Guo, S. L.);  Gui, YS (Gui, Y. S.);  Dai, N (Dai, N.);  Chu, JH (Chu, J. H.);  Cui, LJ (Cui, L. J.);  Li, DL (Li, D. L.);  Gao, HL (Gao, H. L.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Chu, JH, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhchu@mail.sitp.ac.cn
Adobe PDF(367Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1053/364  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, JM (Li, J. M.);  Qian, KY (Qian, K. Y.);  Zhu, QS (Zhu, Q. S.);  Wang, ZG (Wang, Z. G.);  Li, JM, Tsing Hua Univ, Grad Sch Shenzhen, Semicond Lighting Lab, Shenzhen 518055, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiemli@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(78Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：994/268  |  提交时间：2010/03/29
制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1597/189  |  提交时间：2009/06/11