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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [6]
作者
焦春美 [6]
魏鸿源 [1]
文献类型
专利 [6]
发表日期
2008 [2]
2007 [1]
2006 [3]
语种
中文 [6]
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作者:焦春美
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95
100
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δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
魏鸿源
;
刘祥林
;
张攀峰
;
焦春美
;
王占国
Adobe PDF(413Kb)
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收藏
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浏览/下载:1443/207
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提交时间:2009/06/11
一种生长氧化锌薄膜的装置及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
刘祥林
;
赵凤瑷
;
焦春美
;
董向芸
;
张晓沛
;
范海波
;
魏宏源
;
张攀峰
;
王占国
Adobe PDF(1046Kb)
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浏览/下载:1394/138
  |  
提交时间:2009/06/11
电磁阀
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘祥林
;
焦春美
;
赵风瑷
Adobe PDF(892Kb)
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收藏
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浏览/下载:1115/159
  |  
提交时间:2009/06/11
原位非接触探测MOCVD石墨温度分布的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘祥林
;
赵凤瑷
;
焦春美
Adobe PDF(560Kb)
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浏览/下载:1298/167
  |  
提交时间:2009/06/11
在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘祥林
;
焦春美
;
于英仪
;
赵凤瑗
Adobe PDF(661Kb)
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浏览/下载:1144/153
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提交时间:2009/06/11
应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘祥林
;
赵凤瑗
;
焦春美
;
于英仪
Adobe PDF(665Kb)
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浏览/下载:1111/154
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提交时间:2009/06/11