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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
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InAs/GaAs量子点的非线性光学效应研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  黄霞
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  朱桂新;  于天宝;  陈淑文;  廖清华;  刘念华;  黄永箴
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄寓洋;  刘惠春;  Wasileweski Z R;  Buchanan M;  Laframboise S R;  杨晨;  崔国新;  边历峰;  杨辉;  张耀辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨晨;  崔国新;  黄寓洋;  张耀辉;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭浩;  方利广;  吴小华;  于天宝;  廖清华;  黄永箴
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