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碳化硅射频微电子机械系统滤波器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:  赵永梅;  宁 瑾;  孙国胜;  王 亮;  刘兴昉;  赵万顺;  王 雷;  李晋闽;  曾一平 
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多晶立方相碳化硅微机电系统谐振器件及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人:  王 亮;  宁 瑾;  孙国胜;  王 雷;  赵万顺;  赵永梅;  刘兴昉 
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氧化硅上制备低阻碳化硅的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  宁 瑾;  王 亮;  刘兴昉;  赵万顺;  王 雷;  李晋闽;  曾一平
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图形衬底上生长碳化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  刘兴昉;  王 亮;  王 雷;  赵万顺;  李晋闽;  曾一平 
Adobe PDF(839Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1464/242  |  提交时间:2010/03/19
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu XJ;  Chen SW;  Xu HH;  Sun Y;  Yu YD;  Yu JZ;  Wang QM;  Xu XJ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xjxu@semi.ac.cn
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硅基亚微米表面光栅设计制作及驻波型谐振腔电光调制特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  孙阳
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong DH;  Zhu HL;  Liang S;  Zhang HG;  Sun Y;  Wang H;  Zhang W;  Zhao LJ;  Kong DH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: kdh@semi.ac.cn;  Liangsong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiong YH;  Niu ZC;  Dou XM;  Sun BQ;  Huang SS;  Ni HQ;  Du Y;  Xia JB;  Niu ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: zcniu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cheng YB;  Wang Y;  Sun Y;  Pan JQ;  Bian J;  An X;  Zhao LJ;  Wang W;  Cheng YB Chinese Acad Sci Key Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: ybcheng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭杰;  彭震宇;  鲁正雄;  孙维国;  郝瑞亭;  周志强;  许应强;  牛智川
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