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Growth of Fe doped semi-insulating InP by LP-MOCVD 会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:  Yan XJ;  Zhu HL;  Wang W;  Xu GY;  Zhou F;  Ma CH;  Wang XJ;  Tian HL;  Zhang JY;  Wu RH;  Wang QM;  Yan XJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Semi-insulating  Fe-doped  Mocvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王敬;  屠海令;  刘安生;  张椿;  周旗钢;  朱悟新;  高文;  李建明
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