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一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
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一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
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利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
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利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
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快速升温和快速降温的贴片加热装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  谢亮;  俞芷莱;  祝宁华;  王欣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bai YK (Bai Yan-Kui);  Li SS (Li Shu-Shen);  Zheng HZ (Zheng Hou-Zhi);  Wang ZD (Wang Z. D.);  Bai, YK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun Z (Sun Zheng);  Wang BR (Wang Bao-Rui);  Xu ZY (Xu Zhong-Ying);  Sun BQ (Sun Bao-Quan);  Ji Y (Ji Yang);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: sz3288@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杜伟;  许兴胜;  孙增辉;  鲁琳;  高俊华;  赵致民;  王春霞;  陈弘达
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  唐志芳;  时海涛;  鲁华祥;  王守觉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  侯利娜;  姚淑德;  周生强;  赵强;  王坤;  丁志博;  王建峰
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