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在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  李晋闽;  王军喜;  王晓亮;  王启元;  刘宏新;  王俊;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB (Wei Tongbo);  Wang JX (Wang Junxi);  Li JM (Li Jinmin);  Liu Z (Liu Zhe);  Duan RF (Duan Ruifei);  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  魏同波;  王军喜;  刘喆;  李晋闽
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