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1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  封松林;  杨富华;  王晓东;  汪辉;  李树英;  苗振华;  李树深
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磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  杨君玲;  何宏家;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou JP;  Chen NF;  Zhang FQ;  Song SL;  Chai CL;  Yang SY;  Liu ZK;  Lin LY;  Zhou JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen NF;  Xiu HX;  Yang JL;  Wu JL;  Zhong XR;  Lin LY;  Chen NF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张世斌;  廖显伯;  安龙;  杨富华;  孔光临;  王永谦;  徐艳月;  陈长勇;  刁宏伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  邱海军;  刘育梁;  杨林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  金光生;  艾合买提·阿不力孜;  李树深;  牛智川;  杨富华;  封松林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈诺夫;  张富强;  杨君玲;  刘志凯;  杨少延;  柴春林;  王占国;  胡文瑞;  林兰英
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