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高效发光二极管及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 1999-07-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王国宏;  马骁宇;  曹青;  王树堂;  李玉璋;  陈良惠
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670nm半导体量子阱激光器批量生产 成果
1999
主要完成人:  郭良;  马骁宇;  陈良惠;  王树堂;  李玉璋
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670nm  
Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001) 会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:  Zhou W;  Xu B;  Xu HZ;  Liu FQ;  Liang JB;  Wang ZG;  Zhu ZZ;  Li GH;  Zhou W Chinese Acad Sci Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Bimodal Distribution  Photoluminescence (Pl)  Quantum-size Effect  Ge  Ensembles  Si(100)  Growth  Shape  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang WH;  Xu HZ;  Xu B;  Wu J;  Ye XL;  Liu HY;  Zhou W;  Sun ZZ;  Li YF;  Liang JB;  Wang ZG;  Jiang WH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou W;  Xu B;  Xu HZ;  Liu FQ;  Gong Q;  Jiang WH;  Sun ZZ;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Zhu ZM;  Li GH;  Zhou W,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou W;  Xu B;  Xu HZ;  Liu FQ;  Liang JB;  Wang ZG;  Zhu ZZ;  Li GH;  Zhou W,Chinese Acad Sci,Lab Semicond Mat Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  高文钰;  刘忠立;  和致经;  于芳;  梁桂荣;  李国花
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  高文钰;  刘忠立;  和致经;  张永刚;  梁秀琴;  梁桂荣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓亮;  孙殿照;  张剑平;  孔梅影;  曾一平;  李晋闽;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  程文超;  夏建白;  郑文硕;  黄醒良;  金载元;  林三镐;  瑞恩庆;  李亨宰
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