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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [4]
作者
文献类型
会议论文 [4]
发表日期
2003 [1]
1999 [3]
语种
英语 [4]
出处
JOURNAL OF... [2]
NONDESTRUC... [1]
PHYSICA ST... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [4]
资助机构
Amer Soc N... [1]
会议主办方: UNI... [1]
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Large excitation-power dependence of pressure coefficients of InxGa1-xN/InyGa1-yN quantum wells
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 235 (2), GUILDFORD, ENGLAND, AUG 05-08, 2002
作者:
Li Q
;
Fang ZL
;
Xu SJ
;
Li GH
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Zhang XH
;
Liu W
;
Chua SJ
;
Xu SJ Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Piezoelectric Field
Photoluminescence
Temperature
Effect of rapid thermal annealing on the Raman spectrum of Si0.33Ge0.67/Si (100) alloy
会议论文
NONDESTRUCTIVE CHARACTERIZATION OF MATERIALS IX, 497, SYDNEY, AUSTRALIA, JUN 28-JUL 02, 1999
作者:
Liu JP
;
Kong MY
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Liu JP Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Strain-shift Coefficients
Si1-xgex
Silicon
Phonons
Strain-induced morphological evolution and preferential interdiffusion in SiGe epitaxial film on Si(100) during high-temperature annealing
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Liu JP
;
Kong MY
;
Liu XF
;
Li JP
;
Huang DD
;
Li LX
;
Sun DZ
;
Kong MY Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Stranski-krastanow Growth
Quantum Dots
Relaxation
Inas
Influence of crystal perfection on the reverse leakage current of the SiGe Si p-n heterojunction diodes
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Liu XF
;
Liu JP
;
Li JP
;
Wang YT
;
Li LY
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Lin LY
;
Liu XF Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
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