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一种晶锭与热解氮化硼坩埚脱离方法及设备 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高永亮;  惠峰;  王文军
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一种热解氮化硼坩埚表层镀膜方法及装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高永亮;  惠峰;  王文军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li GH;  Su FH;  Wang WJ;  Ding K;  Chen W;  Liu YF;  Joly AG;  Li, GH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ghli@red.semi.ac.cn;  weichen@uta.edu
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直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果
2007
主要完成人:  李晋闽;  曾一平;  惠峰;  卜俊鹏;  王文军;  郑红军;  孙红方
收藏  |  浏览/下载：2178/0  |  提交时间：2010/04/13
六英寸半绝缘砷化镓单晶  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL;  Cheng TS;  Ma ZY;  Hu G;  Xiao HL;  Ran JX;  Wang CM;  Luo WJ;  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu Y (Xu Ying);  Diao HW (Diao Hong-Wei);  Zhang SB (Zhang Shi-Bin);  Li XD (Li Xu-Dong);  Zeng XB (Zeng Xiang-Bo);  Wang WJ (Wang Wen-Jing);  Liao XB (Liao Xian-Bo);  Xu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(212Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1048/310  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo WJ (Luo Weijun);  Wei K (Wei Ke);  Chen XJ (Chen Xiaojuan);  Li CZ (Li Chengzhan);  Liu XY (Liu Xinyu);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Luo, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: luoweijun@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma ZY (Ma Zhi-Yong);  Wang XL (Wang Xiao-Liang);  Hu GX (Hu Guo-Xin);  Ran JX (Ran Jun-Xue);  Xiao HL (Xiao Hong-Ling);  Luo WJ (Luo Wei-Jun);  Tang J (Tang Jian);  Li JP (Li Jian-Ping);  Li JM (Li Jin-Min);  Ma, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: mazhiyong@mail.semi.ac.cn
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III-V-N 半导体材料光学性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  王文杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  许颖;  刁宏伟;  张世斌;  励旭东;  曾湘波;  王文静;  廖显伯
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