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| 一种具备杂质深能级的晶体硅光伏电池的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010183447.9, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 韩培德 Adobe PDF(517Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:930/110  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种双结太阳电池及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010531394.5, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 韩培德 Adobe PDF(1011Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1056/128  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种室温下高光电响应硅探测器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010191164.9, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 韩培德 Adobe PDF(602Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:867/132  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种单晶薄膜异质结太阳电池及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010531371.4, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 韩培德 Adobe PDF(499Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1208/162  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种宽谱光伏效应的双结太阳电池及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010256972.9, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 韩培德 Adobe PDF(967Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:980/118  |  提交时间:2011/08/30 |