中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
基于SOI衬底的Ⅲ-V族纳米线平面晶体管及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  洪文婷;  韩伟华;  吕奇峰;  杨富华
Adobe PDF(1297Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：396/0  |  提交时间：2016/09/22
基于SOI衬底的横向纳米线叉指结构晶体管及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  洪文婷;  韩伟华;  吕奇峰;  杨富华
Adobe PDF(996Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：413/0  |  提交时间：2016/09/22
一种围栅无结纳米线晶体管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  马刘红;  韩伟华;  付英春;  洪文婷;  吕奇峰;  杨富华
Adobe PDF(842Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：477/2  |  提交时间：2016/09/22
SOI叉指结构衬底Ⅲ-Ⅴ族材料沟道薄膜晶体管及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  吕奇峰;  韩伟华;  洪文婷;  杨富华
Adobe PDF(526Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：381/0  |  提交时间：2016/09/22
在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102433529A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人:  刘雯;  王晓东;  程凯芳;  马慧丽;  王晓峰;  徐锐;  杨富华
Adobe PDF(3017Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1293/290  |  提交时间：2012/09/07