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应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张逸韵;  汪炼成;  郭恩卿;  孙波;  伊晓燕;  王国宏
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银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人:  孙波;  赵丽霞;  伊晓燕;  刘志强;  魏学成;  王国宏
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纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人:  孙波;  赵丽霞;  伊晓燕;  刘志强;  魏学成;  王国宏
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制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人:  孙波;  赵丽霞;  伊晓燕;  刘志强;  魏学成;  王国宏
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纳米氮化镓发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人:  孙波;  赵丽霞;  伊晓燕;  刘志强;  魏学成;  王国宏
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大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人:  孙波;  赵丽霞;  伊晓燕;  刘志强;  魏学成;  王国宏
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