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一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157652.8, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  胡理科;  熊聪;  祁琼;  王冠;  马骁宇;  刘素平
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一种高功率密度半导体激光器热沉 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  仲莉;  张俊杰;  罗泓;  井红旗;  祁琼;  刘素平;  马骁宇
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一种半导体激光器列阵烧结装置和烧结方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  祁琼;  孔金霞;  熊聪;  仲莉;  刘素平;  马骁宇
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