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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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光电子研究发展中心 [12]
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专利 [11]
期刊论文 [1]
发表日期
2017 [1]
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出处
光学精密仪器 [1]
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专题:光电子研究发展中心
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
李冠鹏
;
王辉
;
张邦宏
;
杨惠霞
;
谢亮
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浏览/下载:140/2
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提交时间:2018/07/09
一种高阻GaN薄膜的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:
何晓光
;
赵德刚
;
江德生
;
刘宗顺
;
陈平
;
杨静
;
乐伶聪
;
李晓静
;
杨辉
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浏览/下载:794/101
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提交时间:2014/11/05
InGaN太阳能电池及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19
发明人:
李亮
;
赵德刚
;
江德生
;
刘宗顺
;
陈平
;
吴亮亮
;
乐伶聪
;
杨辉
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浏览/下载:837/87
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提交时间:2014/10/31
改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:
吴亮亮
;
赵德刚
;
江德生
;
刘宗顺
;
陈平
;
李亮
;
乐伶聪
;
杨辉
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浏览/下载:719/104
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提交时间:2014/11/24
高电阻低位错GaN薄膜及制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人:
何晓光
;
赵德刚
;
江德生
;
刘宗顺
;
陈平
;
杨静
;
乐伶聪
;
李晓静
;
杨辉
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浏览/下载:787/88
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提交时间:2014/11/24
减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-30
发明人:
乐伶聪
;
赵德刚
;
江德生
;
刘宗顺
;
陈平
;
杨静
;
何晓光
;
李晓静
;
杨辉
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浏览/下载:936/93
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提交时间:2014/12/25
氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
赵德刚
;
陈平
;
刘宗顺
;
朱建军
;
江德生
;
杨辉
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浏览/下载:574/0
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提交时间:2016/09/28
具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
陈平
;
赵德刚
;
朱建军
;
刘宗顺
;
江德生
;
杨辉
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浏览/下载:617/2
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提交时间:2016/09/28
小型化、集成化的硅基场发射-接收器件
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
陈平
;
赵德刚
;
朱建军
;
刘宗顺
;
江德生
;
杨辉
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浏览/下载:281/0
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提交时间:2016/09/28
可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
陈平
;
赵德刚
;
朱建军
;
刘宗顺
;
江德生
;
杨辉
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浏览/下载:452/4
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提交时间:2016/09/28