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用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  彭长涛;  陈诺夫;  吴金良;  尹志冈;  杨霏
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磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  杨霏;  尹志岗;  柴春林;  吴金良
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磁控溅射靶的制造方法及该方法使用的模具 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  尹志岗;  杨霏;  陈诺夫;  吴金良;  柴春林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周凯明;  李江;  李乙钢;  郭儒;  张光寅;  潘士宏;  李瑞钢;  朱战平;  梁基本
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