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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
题名升序
题名降序
混合集成单纤三向器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人:
安俊明
;
吴远大
;
李建光
;
李俊一
;
胡雄伟
Adobe PDF(373Kb)
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浏览/下载:1143/205
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提交时间:2010/03/19
采用非平面工艺制备硅线波导的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998
发明人:
安俊明
;
吴远大
;
李建光
;
李俊一
;
胡雄伟
Adobe PDF(286Kb)
  |  
收藏
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浏览/下载:1264/260
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提交时间:2010/03/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
李俊一
;
安俊明
;
吴远大
;
李建光
;
王红杰
;
胡雄伟
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浏览/下载:1000/346
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提交时间:2010/11/23
在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘喆
;
李晋闽
;
王军喜
;
王晓亮
;
王启元
;
刘宏新
;
王俊
;
曾一平
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浏览/下载:1309/227
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hu, WG (Hu Wei-Guo)
;
Liu, XL (Liu Xiang-Lin)
;
Zhang, PF (Zhang Pan-Feng)
;
Zhao, FA (Zhao Feng-Ai)
;
Jiao, CM (Jiao Chun-Mei)
;
Wei, HY (Wei Hong-Yuan)
;
Zhang, RQ (Zhang Ri-Qing)
;
Wu, JJ (Wu Jie-Jun)
;
Cong, GW (Cong Guang-Wei)
;
Pan, Y (Pan Yi)
;
Hu, WG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sivamay@semi.ac.cn
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浏览/下载:1484/399
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提交时间:2010/03/29
利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
沈文娟
;
曾一平
;
王启元
;
王俊
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浏览/下载:1129/180
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提交时间:2009/06/11
在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘祥林
;
焦春美
;
于英仪
;
赵凤瑗
Adobe PDF(661Kb)
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浏览/下载:1048/153
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提交时间:2009/06/11
应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘祥林
;
赵凤瑗
;
焦春美
;
于英仪
Adobe PDF(665Kb)
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浏览/下载:961/154
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提交时间:2009/06/11
在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
沈文娟
;
曾一平
;
王启元
;
王俊
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浏览/下载:1141/178
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
刘喆
;
王军喜
;
李晋闽
;
刘宏新
;
王启元
;
王俊
;
张南红
;
肖红领
;
王晓亮
;
曾一平
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浏览/下载:1208/336
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提交时间:2010/11/23