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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang CL
;
Cui XD
;
Shen SQ
;
Xu ZY
;
Ge WK
;
Yang CL Univ Hong Kong Dept Phys Hong Kong Hong Kong Peoples R China. E-mail Address: xdcui@hku.hk
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浏览/下载:1044/318
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, Y
;
Han, CL
;
Gao, JF
;
Zhu, ZP
;
Wang, BQ
;
Zeng, YP
;
Zhang, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhang_yang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1048/250
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li, CL
;
Wang, XM
;
Yang, FH
;
Feng, SL
;
Li, CL, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: chllce@semi.ac.cn
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浏览/下载:994/340
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li, CL
;
Yang, FH
;
Feng, SL
;
Wang, XM
;
Li, CL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: chllee@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
杨春雷
;
王建农
;
葛惟锟
;
崔利杰
;
曾一平
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提交时间:2010/11/23
在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘力锋
;
陈诺夫
;
尹志岗
;
杨霏
;
柴春林
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浏览/下载:1497/202
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提交时间:2009/06/11
一种制备金属铪薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
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浏览/下载:1124/117
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提交时间:2009/06/11
一种制备金属锆薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
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浏览/下载:1250/153
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提交时间:2009/06/11
一种制备三元高K栅介质材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李艳丽
;
陈诺夫
;
刘立峰
;
尹志刚
;
杨菲
;
柴春林
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浏览/下载:1101/169
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提交时间:2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
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浏览/下载:1143/148
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提交时间:2009/06/11