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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang HL (Wang Hai-Li);  Xiong YH (Xiong Yong-Hua);  Huang SS (Huang She-Song);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  He ZH (He Zhen-Hong);  Dou XM (Dou Xiu-Ming);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Wang, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma SS (Ma Shan-Shan);  Dou XM (Dou Xiu-Ming);  Chang XY (Chang Xiu-Ying);  Sun BQ (Sun Bao-Quan);  Xiong YH (Xiong Yong-Hua);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Ma, SS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bqsun@semi.ac.cn
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InAs量子点单光子发射器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  熊永华
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砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  韩勤;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  杨晓红;  彭红玲;  周志强;  熊永华;  吴荣汉
Adobe PDF(588Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1466/248  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XH (Yang Xiao-Hong);  Han Q (Han Qin);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Huang SS (Huang She-Song);  Du Y (Du Yun);  Peng HL (Peng Hong-Ling);  Xiong YH (Xiong Yong-Hua);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Wu RH (Wu Rong-Han);  Yang, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xhyang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(234Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1222/235  |  提交时间：2010/04/11