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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang, WJ (Wang Wen-Jie); Deng, JJ (Deng Jia-Jun); Fu, XQ (Fu Xing-Qiu); Hu, B (Hu Bing); Ding, K (Ding Kun); Wang, WJ, N China Elect Power Univ, Dept Math & Phys, Beijing 102206, Peoples R China. 电子邮箱地址: wwj2008@ncepu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 种明; 马文全 ; 苏艳梅; 张艳冰; 胡小燕; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 种明; 苏艳梅; 张艳冰; 胡小燕; 马文全; 孙永伟; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu B (Hu Bing); Zhou X (Zhou Xia); Tang Y (Tang Yan); Gan HD (Gan Huadong); Zhu H (Zhu Hui); Li GR (Li Guirong); Zheng HZ (Zheng Houzhi); Hu, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: hubing@red.semi.ac.cn; hzzheng@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 苏艳梅; 种明; 张艳冰; 胡小燕; 孙永伟; 赵伟; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 卞松保; 李桂荣; 唐艳; 胡冰; 李月霞; 杨富华; 郑厚植
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张书明; 杨辉; 段俐宏; 王海; 李秉成; 王胜国; 吴启保; 章裕中; 胡德进; 张双益
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| 采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 雷红兵; 王红杰; 胡雄伟; 邓晓清; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 彭进; 胡冰; 胡承勇; 卞松保; 杨富华; 郑厚植
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 雷红兵; 王红杰; 邓晓清; 杨沁清; 胡雄伟; 王启明; 廖左升; 杨基南
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