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| 利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩根全; 曾玉刚; 余金中 Adobe PDF(295Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1347/204  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用UHV/CVD低温生长SiGe材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩根全; 曾玉刚; 余金中 Adobe PDF(366Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1454/231  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 成步文; 薛春来; 罗丽萍; 韩根全; 曾玉刚; 薛海韵; 王启明 Adobe PDF(704Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1713/493  |  提交时间:2010/11/23 |
| Si基量子级联激光器能带设计和材料生长 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008 作者: 韩根全 Adobe PDF(5502Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:870/48  |  提交时间:2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zeng Yugang; Han Genquan; Yu Jinzhong Adobe PDF(562Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:690/186  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zeng Yugang; Han Genquan; Yu Jinzhong Adobe PDF(489Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:781/311  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Han GQ (Han Genquan); Yu JZ (Yu Jinzhong); Han, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100084, Peoples R China. 电子邮箱地址: hgquan@red.semi.ac.cn Adobe PDF(221Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:814/294  |  提交时间:2010/03/29 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 韩根全; 林桂江; 余金中 Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:958/271  |  提交时间:2010/11/23 |