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在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人:  高福宝;  陈诺夫;  吴金良;  刘 磊 
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单光路量子效率测试系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人:  刘 磊;  陈诺夫;  曾湘波;  张 汉;  吴金良;  高福宝
Adobe PDF(668Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1413/211  |  提交时间:2010/03/19
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao FB;  Chen NF;  Zhang XW;  Wang Y;  Liu L;  Yin ZG;  Wu JL;  Gao, FB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fbgao@semi.ac.cn
Adobe PDF(350Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1110/350  |  提交时间:2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zou JJ (Zou Ji-Jun);  Chang BK (Chang Ben-Kang);  Yang Z (Yang Zhi);  Gao P (Gao Pin);  Qiao JL (Qiao Jian-Liang);  Zeng YP (Zeng Yi-Pine);  Chang, BK, Nanjing Univ Sci & Technol, Inst Elect Engn & Opto Elect Technol, Nanjing 210094, Peoples R China. 电子邮箱地址: bkchang@mail.njust.edu.cn
Adobe PDF(189Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1004/281  |  提交时间:2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao FB (Gao Fubao);  Chen NF (Chen NuoFu);  Liu L (Liu Lei);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Wu JL (Wu Jinliang);  Yin ZG (Yin Zhigang);  Gao, FB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fbgao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  邹继军;  常本康;  杨智;  高频;  乔建良;  曾一平
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紫外激光写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  夏君磊;  吴远大;  安俊明;  郜定山;  李健;  龚春娟;  胡雄伟
Adobe PDF(446Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1355/146  |  提交时间:2009/06/11
The improvement of thick oxidized porous silicon layer growth process - art. no. 60290S 会议论文
ICO20 Materials and Nanostructures丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:  Li J;  An JM;  Wang HJ;  Xia JL;  Gao DS;  Hu XW;  Li, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Porous Silicon  
Mode analysis of the UV-written channel waveguide - art. no. 60340J 会议论文
ICO20 Optical Design and Fabrication丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:  Xia JL;  Wu YD;  An JM;  Li J;  Gao DS;  Hu XW;  Xia, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev, Ctr Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(291Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1301/296  |  提交时间:2010/03/29
Uv-written  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu J;  Wang YG;  Tian WM;  Gao LY;  He JL;  Ma XY;  Liu, J, Shandong Normal Univ, Coll Phys & Elect, Jinan 250014, Peoples R China. E-mail: jieliu@sdnu.edu.cn
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