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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu Y (Xu Ying)
;
Diao HW (Diao Hong-Wei)
;
Zhang SB (Zhang Shi-Bin)
;
Li XD (Li Xu-Dong)
;
Zeng XB (Zeng Xiang-Bo)
;
Wang WJ (Wang Wen-Jing)
;
Liao XB (Liao Xian-Bo)
;
Xu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(212Kb)
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浏览/下载:1048/310
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
许颖
;
刁宏伟
;
张世斌
;
励旭东
;
曾湘波
;
王文静
;
廖显伯
Adobe PDF(396Kb)
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浏览/下载:995/261
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提交时间:2010/11/23
Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality
会议论文
2006 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, Princeton, NJ, MAY 07-11, 2006
作者:
Zhao, YW (Zhao, Youwen)
;
Dong, ZY (Dong, Zhiyuan)
;
Dong, HW (Dong, Hongwei)
;
Sun, NF (Sun, Niefeng)
;
Sun, TN (Sun, Tongnian)
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(376Kb)
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浏览/下载:1594/450
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提交时间:2010/03/29
Stimulated Current Spectroscopy
Current Transient Spectroscopy
Fe-doped Inp
Point-defects
Compensation
Temperature
Donors
Traps
无权访问的条目
期刊论文
作者:
肖宛昂
;
胡红武
;
邹立东
Adobe PDF(148Kb)
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浏览/下载:1000/344
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao, YW
;
Dong, HW
;
Li, JM
;
Ling, LY
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:848/299
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提交时间:2010/03/17
磷化铟单晶片的抛光工艺
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
董宏伟
;
赵有文
;
杨子祥
;
焦景华
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浏览/下载:1577/226
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Dong HW
;
Zhao YW
;
Li JM
;
Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1802/569
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Dong HW
;
Zhao YW
;
Zeng YP
;
Jiao JH
;
Li JM
;
Lin LY
;
Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1310/426
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Dong HW
;
Zhao YW
;
Jiao JH
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1229/572
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提交时间:2010/08/12
非掺杂磷化铟(InP)的高温退火研究— 半绝缘材料的点缺陷、制备、性质、应用对比
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2003
作者:
董宏伟
Adobe PDF(3065Kb)
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浏览/下载:1024/23
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提交时间:2009/04/13