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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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期刊论文
作者:
Chen L
;
Yan S
;
Xu PF
;
Lu J
;
Wang WZ
;
Deng JJ
;
Qian X
;
Ji Y
;
Zhao JH
;
Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhzhao@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang WZ
;
Deng JJ
;
Lu J
;
Chen L
;
Ji Y
;
Zhao JH
;
Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhzhao@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Bi JF
;
Zhao JH
;
Deng JJ
;
Zheng YH
;
Wang WZ
;
Lu J
;
Ji Y
;
Li SS
;
Bi, JF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhzhao@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1033/260
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gan HD
;
Zheng HZ
;
Deng JJ
;
Bi JF
;
Zhu H
;
Ji Y
;
Tan PH
;
Yang FH
;
Zhao JH
;
Gan, HD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hdgan@red.semi.ac.cn
;
hzzheng@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
王博
;
赵有文
;
董志远
;
邓爱红
;
苗杉杉
;
杨俊
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浏览/下载:840/197
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
杨俊
;
赵有文
;
董志远
;
邓爱红
;
苗杉杉
;
王博
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浏览/下载:838/306
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
赵有文
;
苗杉杉
;
董志远
;
吕小红
;
邓爱红
;
杨俊
;
王博
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提交时间:2010/11/23
一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵建华
;
邓加军
;
毕京峰
;
牛智川
;
杨富华
;
吴晓光
;
郑厚植
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浏览/下载:1343/141
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提交时间:2009/06/11
无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵建华
;
蒋春萍
;
郑厚植
;
邓加军
;
杨富华
;
牛智川
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浏览/下载:1285/184
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun BQ (Sun Baoquan)
;
Jiang DS (Jiang Desheng)
;
Sun Z (Sun Zheng)
;
Ruan XZ (Ruan Xuezhong)
;
Deng JJ (Deng Jiajun)
;
Zhao JH (Zhao Jianhua)
;
Ji Y (Ji Yang)
;
Xu ZY (Xu Zhongying)
;
Sun, BQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: bqsun@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11