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GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘俊岐;  刘峰奇;  李路;  邵烨;  郭瑜;  梁平;  胡颖;  孙虹
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单模量子级联激光器的器件结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郭瑜;  刘峰奇;  刘俊岐;  王占国
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砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李路;  刘峰奇;  刘俊岐;  郭瑜;  周华兵;  梁凌燕;  吕小晶
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镓砷基量子级联激光器管芯单元结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘俊岐;  刘峰奇;  路秀真;  郭瑜;  梁平;  胡颖;  孙虹
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磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郭瑜;  刘峰奇;  李成明;  刘俊岐;  王占国
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一种磷化铟基量子级联半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郭瑜;  王春华;  刘俊岐;  刘峰奇;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JQ (Liu Jun-Qi);  Liu FQ (Liu Feng-Qi);  Li L (Li Lu);  Shao Y (Shao Ye);  Guo Y (Guo Yu);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: fqliu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘峰奇;  郭瑜;  李路;  邵晔;  刘俊岐;  路秀真;  王占国
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应变补偿分布反馈量子级联激光器材料生长及器件性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  郭瑜
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Junqi;  Lu Xiuzhen;  Guo Yu;  Huang Xiuqi;  Che Xiaoling;  Lei Wen;  Liu Fengqi
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