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| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国 Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1403/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 磁控溅射仪衬底固定夹具 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王鹏; 陈诺夫; 尹志岗; 杨霏 Adobe PDF(452Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1184/153  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘力锋; 陈诺夫; 尹志岗; 杨霏; 柴春林 Adobe PDF(291Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1581/202  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 尹志冈; 杨霏 Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1399/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在硅衬底上采用磁控溅射法制备氮化铝材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨霏; 陈诺夫 Adobe PDF(259Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1200/175  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制备三元高K栅介质材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李艳丽; 陈诺夫; 刘立峰; 尹志刚; 杨菲; 柴春林 Adobe PDF(375Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1181/169  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈诺夫; 杨霏 Adobe PDF(291Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1146/186  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wang P (Wang Peng); Chen NF (Chen Nuofu); Yin ZG (Yin Zhigang); Yang F (Yang Fei); Peng CT (Peng Changtao); Dai RX (Dai Ruixuan); Bai YM (Bai Yiming); Wang, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: pwang@semi.ac.cn Adobe PDF(176Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1225/478  |  提交时间:2010/04/11 |
| 宽带隙半导体材料SiC、AlN和ZnO薄膜的研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006 作者: 杨霏 Adobe PDF(3569Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1070/53  |  提交时间:2009/04/13 |
| 磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈诺夫; 杨霏; 尹志岗; 柴春林; 吴金良 Adobe PDF(238Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1183/152  |  提交时间:2009/06/11 |