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中国科学院半导体研究所机构知识库
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作者:张兴旺
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Zhang SG
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Dong JJ
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Wang ZG
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Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
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提交时间:2011/07/05
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期刊论文
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Gao Y
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Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/04
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提交时间:2011/08/16
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期刊论文
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Qu S
;
Zhang XW
;
Gao Y
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You JB
;
Fan YM
;
Yin ZG
;
Chen NF
;
Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
制作ZnO基异质结发光二极管的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183370.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
张曙光
;
尹志岗
;
张兴旺
;
游经碧
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提交时间:2011/08/31