中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR
（本次检索基于用户作品认领结果）

浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng Y;  Zhao DG;  Le LC;  Jiang DS;  Wu LL;  Zhu JJ;  Wang H;  Liu ZS;  Zhang SM;  Yang H;  Liang JW;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. dgzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1744/520  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng Y;  Zhao DG;  Wu LL;  Liu ZS;  Zhu JJ;  Jiang DS;  Zhang SM;  Liang JW;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. dgzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(853Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1272/230  |  提交时间：2011/07/05
提高氮化镓材料载流子迁移率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  朱建军;  杨辉;  梁骏吾
Adobe PDF(215Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1400/204  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang LQ;  Zhang SM;  Yang H;  Cao Q;  Ji L;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Zhao DG;  Jiang DS;  Duan LH;  Wang H;  Shi YS;  Liu SY;  Chen LH;  Liang JW;  Zhang, LQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hyang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(384Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1037/307  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Zhang SM;  Liang JW;  Yang H;  Li X;  Li XY;  Gong HM;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(70Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1231/342  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Zhang SM;  Yang H;  Liang JW;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(182Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1486/738  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Zhu JJ;  Jiang DS;  Yang H;  Liang JW;  Li XY;  Gong HM;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(170Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1708/672  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Zhang SM;  Liang JW;  Li X;  Li XY;  Gong HM;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(68Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1500/646  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng G;  Zhu JJ;  Shen XM;  Zhang BS;  Zhao DG;  Wang YT;  Yang H;  Liang JW;  Feng G,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(184Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1134/441  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng G;  Shen XM;  Zhu JJ;  Zhang BS;  Zhao DG;  Wang YT;  Yang H;  Liang JW;  Feng G,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(102Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2013/827  |  提交时间：2010/08/12