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| 一种异质结双极晶体管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 姚飞; 薛春来 ; 成步文; 王启明
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| 半导体应变弛豫材料的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 成步文; 姚飞; 薛春来 ; 张建国; 左玉华; 王启明
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| 制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 薛春来 ; 成步文; 姚飞; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Xue Chunlai ; Shi Wenhua; Yao Fei; Cheng Buwen ; WANG Hongjie; Yu Jinzhong; WANG Qiming
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 姚飞; 薛春来 ; 成步文 ; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Xue Chunlai ; Yao Fei; Chen Buwen; Wang Qiming
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 薛春来 ; 姚飞; 成步文 ; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 薛春来 ; 成步文 ; 姚飞; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Xue Chunlai ; Cheng Buwen ; Yao Fei; Wang Qiming
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Cheng BW; Yao F; Xue CL ; Zhang JG; Li CB; Mao RW; Zuo YH; Luo LP; Wang QM; Cheng, BW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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