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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [7]
作者
文献类型
会议论文 [7]
发表日期
2008 [3]
1998 [3]
1997 [1]
语种
英语 [7]
出处
2008 IEEE ... [2]
BLUE LASER... [2]
AOE 2007 A... [1]
JOURNAL OF... [1]
PHYSICS OF... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [5]
其他 [2]
资助机构
IEEE. [2]
Japan Soc ... [2]
Japan Soc ... [1]
Opt Soc Am... [1]
Univv Nebr... [1]
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Design and Realization of Index-Coupled DFB Laser with Sampled Grating
会议论文
2008 IEEE PHOTONICSGLOBAL@SINGAPORE (IPGC), Singapore, SINGAPORE, DEC 08-11, 2008
作者:
Wang H
;
Zhu HL
;
Chen XF
;
Li JS
;
Wang LS
;
Zhang W
;
Wang W
;
Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Tuning Range
A New Edge-Coupled Two-Terminal Double Heterojunction Phototransistor (ECTT-DHPT) and Its DC Characteristics
会议论文
2008 IEEE PHOTONICSGLOBAL@SINGAPORE (IPGC), Singapore, SINGAPORE, DEC 08-11, 2008
作者:
Wang, LS
;
Zhao, LJ
;
Pan, JQ
;
Zhang, W
;
Wang, H
;
Liang, S
;
Zhu, HL
;
Wang, W
;
Wang, LS, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
P-i-n/hbt
Wave-guide
Inp/ingaas
Frequency
Hbt
An Improved Selective Area Growth Method in Fabrication of Electroabsorption Modulated Laser
会议论文
AOE 2007 ASIA OPTICAL FIBER COMMUNICATION & OPTOELECTRONIC EXPOSITION & CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, OCT 17-19, 2007
作者:
Wang H
;
Zhu HL
;
Cheng YB
;
Chen D
;
Zhang W
;
Wang LS
;
Zhang YX
;
Sun Y
;
Wang W
;
Wang, H, CAS, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Yellow luminescence mechanism and persistent photoconductivity in n-GaN single crystal films grown on alpha-Al2O3(0001) substrates by LP-MOCVD
会议论文
BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II, CHIBA, JAPAN, SEP 29-OCT 02, 1998
作者:
Wang LS
;
Yue GZ
;
Liu XL
;
Wang XH
;
Wang CX
;
Wang D
;
Lu DC
;
Wang ZG
;
Wang LS Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1093/0
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提交时间:2010/10/29
Metastability
Antisite
The growth and characterization of GaN grown on a gamma-Al2O3/(001) Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
会议论文
BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II, CHIBA, JAPAN, SEP 29-OCT 02, 1998
作者:
Wang LS
;
Liu XL
;
Zan YD
;
Wang D
;
Lu DC
;
Wang ZG
;
Wang LS Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Sapphire
The influence of thickness on properties of GaN buffer layer and heavily Si-doped GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189, TOKUSHIMA CITY, JAPAN, OCT 27-31, 1997
作者:
Liu XL
;
Wang LS
;
Lu DC
;
Wang D
;
Wang XH
;
Lin LY
;
Liu XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlliu@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/15
Movpe
Gan
Gan Buffer
Heavy Si-doping
Electronic investigation of self-organized InAs quantum dots
会议论文
PHYSICS OF LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES, 12, LINCOLN, NEBRASKA, JUL 08-11, 1997
作者:
Chen F
;
Feng SL
;
Yang XZ
;
Zhao Q
;
Wang ZM
;
Wen LS
;
Chen F Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Carrier Relaxation