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| 用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王保柱; 王晓亮; 王晓燕; 王新华; 肖红领; 王军喜; 刘宏新 Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1355/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 吴洁君; 黎大兵; 陆沅; 韩修训; 李杰民; 王晓辉; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(683Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1831/185  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陆沅; 刘祥林; 陆大成; 王晓晖; 王占国 Adobe PDF(461Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1469/212  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制作白光发光二极管的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈振; 韩培德; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(528Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1341/194  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种单/多层异质量子点结构的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2003-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈振; 陆大成; 韩培德; 刘祥林; 王晓晖; 李昱峰; 王占国 Adobe PDF(643Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1509/206  |  提交时间:2009/06/11 |
| Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈振; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 袁海荣; 王占国 Adobe PDF(593Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1314/174  |  提交时间:2009/06/11 |
| 铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-07-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩培德; 刘祥林; 王晓晖; 陆大成 Adobe PDF(434Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1286/164  |  提交时间:2009/06/11 |
| 自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-06-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陆大成; 王晓晖; 姚文卿; 刘祥林 Adobe PDF(1377Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1113/119  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘祥林; 陆大成; 王晓晖; 袁海荣 Adobe PDF(842Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1061/117  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种氮化物半导体器件 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陆大成; 刘祥林; 袁海荣; 王晓晖 Adobe PDF(613Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1164/152  |  提交时间:2009/06/11 |