|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘俊岐; 刘峰奇; 李路 ; 邵烨; 郭瑜; 梁平; 胡颖; 孙虹
 Adobe PDF(769Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1228/204 | 提交时间：2009/06/11 |
| 单模量子级联激光器的器件结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郭瑜; 刘峰奇; 刘俊岐; 王占国
Adobe PDF(670Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1408/211 | 提交时间：2009/06/11 |
| 砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李路; 刘峰奇; 刘俊岐; 郭瑜; 周华兵; 梁凌燕; 吕小晶
Adobe PDF(960Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1561/198 | 提交时间：2009/06/11 |
| 镓砷基量子级联激光器管芯单元结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘俊岐; 刘峰奇; 路秀真; 郭瑜; 梁平; 胡颖; 孙虹
Adobe PDF(679Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1305/171 | 提交时间：2009/06/11 |
| 磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郭瑜; 刘峰奇; 李成明; 刘俊岐; 王占国
Adobe PDF(766Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1145/185 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种磷化铟基量子级联半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郭瑜; 王春华; 刘俊岐; 刘峰奇; 王占国
Adobe PDF(551Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1218/191 | 提交时间：2009/06/11 |
| 垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25
发明人: 于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽
Adobe PDF(605Kb) | 收藏 | 浏览/下载：596/75 | 提交时间：2014/11/17 |
| 垂直阵列纳米柱LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-04
发明人: 于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽
Adobe PDF(485Kb) | 收藏 | 浏览/下载：716/82 | 提交时间：2014/11/17 |
| 一种利用光致发光谱测量GaN基LED的极化电场的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 魏学成; 赵丽霞; 张连; 于治国; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(372Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1219/98 | 提交时间：2014/11/05 |
| 表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25
发明人: 于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽
Adobe PDF(521Kb) | 收藏 | 浏览/下载：595/77 | 提交时间：2014/11/17 |
