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| 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 李越强; 刘雯; 王晓东; 陈燕玲; 杨富华 Adobe PDF(456Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1300/236  |  提交时间:2011/08/31 |
| 对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237097.7, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘雯; 李越强; 王晓东; 陈燕凌; 杨富华 Adobe PDF(588Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1637/277  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102136492A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-07-27, 2012-09-07 发明人: 李越强; 王晓东; 徐晓娜; 刘雯; 陈燕玲; 杨富华 Adobe PDF(572Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1606/357  |  提交时间:2012/09/07 |
| 基于锥形衬底的相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 付英春; 马刘红; 杨富华; 王晓峰; 周亚玲; 杨香; 王晓东 Adobe PDF(523Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:409/3  |  提交时间:2016/09/12 |
| 基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22 发明人: 周亚玲; 付英春; 王晓峰; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(644Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:501/4  |  提交时间:2016/09/22 |