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| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(255Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1910/298  |  提交时间:2011/08/31 |
| 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102185056A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 马平; 王军喜; 魏学成; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(533Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1918/367  |  提交时间:2012/09/09 |
| 低位错氮化镓的生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102409406A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 吴奎; 魏同波; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(258Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1274/208  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种增强LED出光效率的粗化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2117/300  |  提交时间:2011/08/31 |
| 金属催化脱氢提高镁掺杂氮化物激活效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010514077.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 魏同波; 王军喜; 路红喜; 刘乃鑫; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(304Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1728/258  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810224104.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 段瑞飞; 魏同波; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(242Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1722/227  |  提交时间:2011/08/31 |
| 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李璟; 王国宏; 魏同波; 张杨; 孔庆峰 Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2066/350  |  提交时间:2012/09/09 |
| 制备GaN厚膜垂直结构LED的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13 发明人: 羊建坤; 魏同波; 胡强; 霍自强; 段瑞飞; 王军喜 Adobe PDF(403Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:920/97  |  提交时间:2014/10/24 |
| 制备半球形微纳米透镜阵列的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-03, 2013-04-03 发明人: 魏同波; 吴奎; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(375Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:742/116  |  提交时间:2014/10/24 |
| 一种控制半导体LED外延片内应力的装置 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07 发明人: 张宁; 魏学成; 刘桂鹏; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:877/84  |  提交时间:2014/12/25 |